台积电不用而英特尔用！中国瞄向EUV光源技术，咋回事？

随着半导体行业迅猛发展，光刻机技术可谓是关键中的关键！不同企业在光刻机选择上的差异可大了去了，而且咱国产技术也在使劲追赶。下面咱就详细聊一下这里面的事！

企业选择分歧

台积电近期高管表态，接下来的A16/A14制程都不会采用ASML售价高达4亿美元的High NA EUV光刻机。这可真是让人意外！要知道这机子贵自然有贵的道理。反观英特尔就截然不同它已经决定在下一代的Intel 14A制程上用这High NA EUV光刻机进行量产，这对比实在太明显了

国产技术之路

咱中国迫切需要在EUV光刻机上取得突破。这不，把目光瞄向了基于直线电子加速器的自由电子激光技术的EUV光源（EUV - FEL）技术。这可是咱们自己的研究方向，虽然现在可能还有挺多路要走，但万一成了，那咱就能在光刻领域狠狠挺直腰杆，以后都不怕西方国家“卡脖子”

光刻问题破局

193nm浸没式光刻面临不少难题，而提升光圈分辨率就是要想办法进一步缩短光源波长。为啥这么说？因为光源波长一缩短，光刻分辨率不就大幅提升了。就拿对比于193nm浸没式光刻机来说，EUV光刻机能使分辨率大增，一次就能曝出最小距离为13nm精细图形，还不用那浸没系统，优势老明显

ASML发展蓝图

人家ASML在光刻机领域那可是相当牛的存在！据说在未来几十年，它可以继续尽可能高效地缩小晶体管的尺寸。而且ARCNL的任务就是改进ASML现有的EUV光刻技术，还在研究万一未来EUV不行了的替代办法，考虑得实在周全

技术影响因素

要提升光刻机光圈分辨率，一方面可以靠缩短光源波长，另一方面还能提升镜头的数值孔径（NA）来达到目的。从Martin van den Brink披露的ASML未来15年的逻辑器件工艺路线图能知道，目前的0.3NA的标准型EUV光刻机最多支持到2025年2nm的量产，再往后就只能用多重曝光技术，不过到2027年量产的1.4nm就是极限

实际应用难题

现在大型AI芯片越来越复杂了，包含数千亿晶体管和数十个处理器内核，面积超大的。这就导致它不适合用High NA EUA光刻机一次完成一个传统的掩膜板图案的光刻了。可见，虽然光刻机技术在发展，但芯片设计也让光刻难度越来越大

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